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最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220F。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 640mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

MOSFET・モスフェット

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 4.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = VOM

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3 W、3.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SC-89-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.1μs。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 0.1μs。シリーズ = VO。オプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.56 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 4.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.55mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0192 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAIR。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 29 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 37 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.63mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 47 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。シリーズ = E Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 357 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor