カテゴリ

制御機器(24)

絞り込み

VISHAY
モノタロウ(1)
CKD(33)
DiodesZetex(27)
Festo(19)
omron(オムロン)(52)
onsemi(62)
Panasonic(パナソニック)(396)
SMC(325)
YAMAHA(ヤマハ)(15)
アメリカン電機(42)
エスコ(20)
ハーティング(20)
三菱電機(136)
日動工業(14)
日東工業(27)
明工社(130)
東芝ライテック(15)
泰和電器(28)
神保電器(24)
ブランドをもっと見る

RoHS10物質対応(24)

価格で絞り込む

当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内

「p-20v」の検索結果

特価

本日10月11日(日)は、

の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より10％引き！

キャンペーンコード000026261016

キャンペーンコードのご利用方法※特価からの更なる割引はございません

関連キーワード

Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 6 A 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン
VISHAY
￥1,598税込￥1,758
1袋(20個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
VISHAY
￥99,980税込￥109,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 35 A 表面実装パッケージPowerPAK 1212-8 8 ピン
VISHAY
￥159,800税込￥175,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Single P-Ch PPAK SC70 20V 18mohm @ 4.5V
VISHAY
￥2,498税込￥2,748
1袋(20個)
7日以内出荷
IGBT
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N+PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 400 mA， 700 mA， 6 ピンパッケージSOT-363 (SC-88)
VISHAY
￥1,298税込￥1,428
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 400 mA， 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω， 578 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 340 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 VデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET8 V 4.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
VISHAY
￥65,980税込￥72,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 4 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY
￥279税込￥307
1個
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
VISHAY
￥149,800税込￥164,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 4.7 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
VISHAY
￥109,800税込￥120,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
VISHAY
￥159,800税込￥175,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 3.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
VISHAY
￥1,598税込￥1,758
1セット(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 42 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 3.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
VISHAY
￥3,198税込￥3,518
1袋(20個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 3.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY
￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 3.1 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
VISHAY
￥269,800税込￥296,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 21 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピン
VISHAY
￥8,498税込￥9,348
1セット(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 11 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY
￥499税込￥549
1個
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 12 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピン
VISHAY
￥7,698税込￥8,468
1セット(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm。高さ = 20.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
VISHAY
￥229,800税込￥252,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET40 V 50 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
VISHAY
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A、8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
VISHAY
￥339,800税込￥373,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 4.7 A、6.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
VISHAY
￥2,598税込￥2,858
1袋(20個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3 W、3.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 6.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY
￥8,198税込￥9,018
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N， Pチャンネル MOSFET60 V 190 mA， 300 mA 表面実装パッケージSC-89-6 6 ピン
VISHAY
￥1,598税込￥1,758
1袋(20個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SC-89-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 7.2 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
VISHAY
￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 4.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.55mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応