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エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(515)
Pb- Free N-Ch PowerPAK SO-8 BWLVISHAY￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 45A， 800V， 4-Pin PBVISHAY￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 45Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PBピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 450A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 30.3mm高さ = 20.3mmSIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+Tμ SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+μ高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+μ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 40A， 800V， 30.3 x 5.1 x 20.3mm， PB4008-E3/45VISHAY￥9,198税込￥10,118
1セット(20個)
7日以内出荷
ピーク平均順方向電流 40Aピーク逆繰返し電圧 800V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ PBピン数 4ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション回路構成 シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 400A動作温度 Max +150 ℃動作温度 Min -55 ℃ピーク順方向電圧 1.1Vピーク逆電流 500μA寸法 30.3 5.1 20.3mm高さ 20.3mmSIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥279税込￥307
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)VISHAY￥349税込￥384
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 3相ブリッジダイオード 90A， 1200V， 5-Pin INT-A-PAKVISHAY￥10,980税込￥12,078
1個
欠品中
仕様ブリッジタイプ = 3相ピーク平均順方向電流 = 90Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = INT-A-PAKピン数 = 5構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.55Vピーク逆電流 = 10mA長さ = 94mm幅 = 35mmUL E78996. ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VS-60MT / 70MT.KPbFシリーズ、Vishay Semiconductor. 業界標準のINT-A-PAKパッケージ、電源モジュールに完全対応 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 優れたパワーボリューム比、簡単に接続できるアウトライン 絶縁電圧: 4000 VrmsRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 240A， 150V， 2-Pin D 67VISHAY￥7,298税込￥8,028
1個
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 150V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = D 67ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 39.62mm幅 = 19.69mm高さ = 15.11mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20kA高性能ショットキー整流器、50 → 400 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥109税込￥120
1個
3日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 3.7 A， 3 ピン パッケージTO-220FPVISHAY￥459税込￥505
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 2 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥219税込￥241
1個
4日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 高電圧抵抗器 HTSシリーズ 10GΩ 3W ±5%VISHAY￥14,980税込￥16,478
1個
当日出荷
仕様抵抗 = 10GΩ定格電力 = 3W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = HTSケーススタイル = セラミック温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 8.5 (Dia.) x 47mm長さ = 47mm直径 = 8.5mmリード径 = 0.8mm高電圧 / 高抵抗の厚膜抵抗器 - HTSシリーズ. Vishay Sfernice HTSシリーズ厚膜抵抗器 高電圧: 1 → 20 kV 高負荷値: 最大50 GΩ 優れた安定性: 1 %RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 高電圧抵抗器 HTSシリーズVISHAY￥7,198～税込￥7,918～
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
許容差±5%テクノロジー厚膜シリーズHTSケース形状セラミック温度係数(ppm/℃)±150終端スタイルアキシャル
高電圧抵抗器， 100MΩ， 1W， ±5% VishayVISHAY￥14,980税込￥16,478
1個
当日出荷
仕様抵抗 = 100MΩ定格電力 = 1W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜ケーススタイル = セラミック温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 3.5 (Dia.) x 14mm長さ = 14mm直径 = 3.5mmリード径 = 0.8mmHTS範囲、アキシャル. Vishay Sfernice HTSシリーズは、厚膜、高抵抗 / 高電圧抵抗器です。 HTSシリーズは、はんだコーティングの銅端子を持つエポキシコーティング高純度セラミックコアを備えています。 優れた安定性(1 %)を持ち、低温度係数100 ppm/℃のHTSシリーズは、電力変換時の電流検出、産業用及び医療用電源、モータ制御回路の用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 10 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥359税込￥395
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET1000 V 1.4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥399税込￥439
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 300A， 100V， 3-Pin TO-244VISHAY￥8,298税込￥9,128
1個
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = TO-244ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 93mm幅 = 21mm高さ = 17.5mmピーク逆電流 = 4.5mA高性能ショットキー整流器、50 → 400 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET800 V 4.1 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥329税込￥362
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 10 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥559税込￥615
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 16 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンVISHAY￥849税込￥934
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 15.87mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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