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Vishay PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 18 A， 8 ピンパッケージPowerPAK SO
VISHAY
￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 48 W幅 = 5mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 16 A 表面実装パッケージPowerPAIR
VISHAY
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAIR。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 33 A 表面実装パッケージPowerPAK SO-8
VISHAY
￥2,298税込￥2,528
1袋(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 33 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET80 V 60 A 表面実装パッケージPowerPAK SO-8L
VISHAY
￥769税込￥846
1袋(2個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8L。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 25 A 表面実装パッケージPowerPAK SO-8
VISHAY
￥999税込￥1,099
1袋(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 35 A 表面実装パッケージPowerPAK 1212-8 8 ピン
VISHAY
￥159,800税込￥175,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET190 V 1.5 A 表面実装パッケージPowerPAK SC-75
VISHAY
￥3,198税込￥3,518
1袋(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 190 V。パッケージタイプ = PowerPAK SC-75。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 21 A 表面実装パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン
VISHAY
￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 29.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.26mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 6.2 A， 8 ピンパッケージPowerPAK SO
VISHAY
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1800 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応