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抵抗 = 500Ω定格電力 = 0.25W許容差 = ±1%テクノロジー = 金属皮膜シリーズ = RN60温度係数 = ±100ppm/℃動作温度 Min = -65℃CMF(ミリタリー RN/RL)金属皮膜抵抗器. 金属皮膜抵抗器、アキシャル、ミリタリー、MIL-R-10509 認定、精密、タイプ RN 、MIL-PRF-22684 認定、タイプ RL. 特長. 各種抵抗値を用意 すべてのモデルがアキシャルタイプ 特長 低ノイズ( -40 dB ) 温度係数調整済み 難燃性コーティング. 該当する MIL-SPECS MIL-R-10509とMIL-PRF-22684：CMFモデルは、MIL-R-10509とMIL-PRF-22684の電気的、環境的、寸法的要件を満たしています。ノイズ：Vishay Dale金属皮膜抵抗器は非常に低いノイズレベルです。標準的な抵抗範囲の平均値は、10年の周波数にわたって0.10μV/Vであり、低抵抗値と中間抵抗値は通常0.05μV/V以下です。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

キャリアー周波数 = 38kHz最大伝送距離 = 45mピーク感度波長 = 950nm出力電流 = 5mAピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装寸法 = 6 x 5.6 x 6.95mm高さ = 6.95mm長さ = 6mm幅 = 5.6mmVishay TSOP22 / 24 / 44 / 48 シリーズ赤外線レシーバ. TSOP22. 、 TSOP48. 、 TSOP24TSOP44 を搭載しています。赤外線リモコンシステム用の小型 IR レシーバモジュールシリーズです。PIN ダイオードとプリアンプがリードフレームに組み立てられています。エポキシパッケージには赤外線が含まれています フィルタ。 復調された出力信号は、デコード用のマイクロプロセッサに直接接続できます。 TSOP24. 、 TSOP44.シリーズデバイスは、 Wi-Fi 及び CFL ソースからのスプリアスパルスをほぼすべて抑制するように最適化されています。連続的に送信されると、一部のデータ信号を抑制することができます。 TSOP22. 、 TSOP48シリーズデバイスは、主に古い AGC2 設計との互換性のために提供されます。新しい設計は TSOP24. 、 TSOP44 を好むべきである。新しい AGC4 を含むシリーズ。 これらのコンポーネントは、自動車の仕様に適合していません。. HF および RF ノイズに対する耐性の向上 低供給電流 1 つのパッケージに光検出器とプリアンプを収容 PCM 周波数用の内部フィルタ 供給電圧： 2.5 → 5.5 V 光学ノイズに対する耐性の向上 電源電圧リップルとノイズに非反応

抵抗 180Ωテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0805 (2012M)許容差 ±1%定格電力 0.5W温度係数 ±100ppm/K自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 6.73mm高さ = 6.22mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

個数 = 15実装タイプ = 表面実装誘電体材料 = セラミック電圧範囲 = Maximum of 1500V最大電圧 = 1500V静電容量範囲 = 10 pF → 82pFQUAD HiFREQ VJ1111 MLCCシリーズ. VJ1111QUARF1KIT: 15値、1 → 8.2 pF VJ1111QUARF2KIT: 15値、10 → 82 pF VJ1111QUARF3KIT: 15値、100 → 1000 pF 黄色のインサートページ1枚を含むバインダー キットの内容についてはデータシートをご覧ください。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

種類 = ロータリスイッチノブノブの直径 = 56mmアクセサリ(可変抵抗器). Rheostatアクセサリはダイヤルとノブを含む

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

アクセサリタイプ = ノブノブ直径 = 43mm併用可能製品 = RT25ポテンショメータアクセサリ(可変抵抗器). Rheostatアクセサリはダイヤルとノブを含む

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 15.87mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

抵抗 100Ωテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 2010 (5025M)許容差 ±1%定格電力 0.75W温度係数 ±100ppm/℃自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃2010型CRCWシリーズ 1 (ペーパーT/R) (10 → 100 kΩ). 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純すずめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 270Ωテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 1206 (3216M)許容差 ±1%定格電力 0.25W温度係数 ±100ppm/℃自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃1206 CRCWシリーズ表面実装固定抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.09 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 1206パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。