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RoHS10物質対応(30)
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Vishay Nチャンネル MOSFET800 V 4.1 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥419税込￥4611個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET1000 V 1.4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥469税込￥5161個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET800 V 1.8 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥7,398税込￥8,1381セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 3.6 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥14,980税込￥16,4781セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 9.2A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥559税込￥6151個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.2A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 170 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 11 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥15,980税込￥17,5781セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 170 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ACCRFBOUTON41JF， ロータリスイッチノブ
VISHAY￥19,980税込￥21,9781個7日以内出荷種類 = ロータリスイッチノブ。ノブの直径 = 56mm。アクセサリ(可変抵抗器). Rheostatアクセサリはダイヤルとノブを含むRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ACCRFBOUTON29JF， レオスタットダイヤル用 (可変抵抗器ノブ)
VISHAY￥17,980税込￥19,7781個7日以内出荷アクセサリタイプ = ノブ。ノブ直径 = 43mm。併用可能製品 = RT25ポテンショメータ。アクセサリ(可変抵抗器). Rheostatアクセサリはダイヤルとノブを含むRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay MELF形金属皮膜固定抵抗器， 3.6x1.4 mm， 0.25W， 100Ω， ±1%
VISHAY￥829税込￥9121袋(50個)7日以内出荷仕様抵抗 = 100Ωパッケージ/ケース = 0204 MELF許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/Kテクノロジー = 薄膜寸法 = 1.4 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mmシリーズ = SMM0204最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +155℃終端スタイル = はんだケーススタイル = モールドMiniMELF 1 % 0.25 W SMD抵抗器. SMD金属皮膜抵抗器は、時間が経過しても優れた安定性を必要とする用途に推奨されます。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET900 V 3.6 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY取扱停止中チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.7 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 2.2 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY取扱停止中チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 6.2 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY(1件のレビュー)取扱い終了仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 125 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET900 V 1.7 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY取扱い終了チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 3.6 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY取扱い終了チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
