「s-1br」の検索結果

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 50 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.4 x 3.4 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 3.4mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

シリーズ = NTCS0603E3.....T。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -3.98%/℃。熱時定数 = 8s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±1%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 125mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm。NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 4.8μs。チャンネル数 = 1

最大抵抗 = 10kΩ。回転数 = 1。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 63S。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.52mm。奥行き = 4.83mm。高さ = 10.03mm。寸法 = 9.52 x 4.83 x 10.03mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +125℃。63S側面調整

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 9000μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 30 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 900 → 980 nmnm。幅 = 5.75mm。BPV11シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPV11シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。この製品は、透明又は黒色のプラスチック製5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収納されています。黒色パッケージには、周囲の可視光向けの昼光遮断フィルタが付いています。BPV11シリーズは、産業用の電子回路、測定、制御用の検出器として使用するのに適しています。. BPV11フォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 3ピン 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 30° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 20000μA。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 20 °。極性 = NPN。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = TO-18。寸法 = 5.5 x 5.5 x 6.15mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 5.5mm。BPW77NA及びBPW77NBシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW77NA及びBPW77NBシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスレンズ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 BPW77NA及びBPW77NB フォトトランジスタは、可視光及び赤外線両方の放射を感知します。 これらの製品は、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW77NA / BPW77NBフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ 4.7 mm径 スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 8000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = ±25 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。高さ = 4.5mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 15000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 40 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。高さ = 8.6mm。BPW96B / BPW96Cシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorsのBPW96B / BPW96Cシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 このファミリは、透明プラスチックレンズ付きの5 mm (T-1 3/4)スルーホールパッケージに収容されています。 これにより、BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタで可視光線と近赤外線の放射を感知することができます。 これらのトランジスタに適した用途には、電子制御の検出器、駆動回路などがあります。. BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 透明のプラスチックパッケージ 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 7000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 30°。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = サブミニチュア。寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 730 → 1000 nmnm。幅 = 2mm。TEMT1000シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのこのファミリのシリコンNPNフォトトランジスタは、表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージ入りです。 黒色のプラスチックパッケージ入りで、ガルウィング(GW)、リバースガルウィング(RGW)、ヨーク、アキシャルなど、様々なリードタイプを用意しています。 この黒色のハウジングは、TEMT1000フォトトランジスタの昼光遮断フィルタとして機能します。 このフォトトランジスタに適した用途には、エンコーダ、カウンタ、フォトインタラプタ、昼光用途の赤外線検出器、及び電気コントロールや駆動回路の検出器としての使用などがあります。. TEMT1000シリーズの特長: TEMT1000、TEMT1020、TEMT1030、TEMT1040 サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 黒色プラスチック製ハウジング 各種リードタイプ 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

シリーズ = NTCALUG02A。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -4.39%/K。熱時定数 = 5s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±1%。奥行き = 8.5mm。高さ = 16.8mm。動作温度 Min = -55℃

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 1.8μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 1.8μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214BA。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214BA。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214BA。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 1.8μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214BA。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 1.8μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 4000μA。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 74 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 側方監視。寸法 = 5 x 2.65 x 5mm。コレクター電流 = 100mA。感度スペクトルレンジ = 850 → 980 nmnm。高さ = 5mm。TEKT5400シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のTEKT5400シリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタです。 これらの製品は側方監視のスルーホールパッケージに収納されています。 これらの製品は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収納されています。 TEKT5400フォトトランジスタは、電子制御や駆動回路における検出器としての使用に最適です。. 特長と利点:. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形態：サイドビューレンズ 寸法( L ；font face="symbol">；´ ；/font>； W ；font face="symbol">；´ ；/font>； H ；font face="symbol">；´ ；/font>； mm )： 5 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 2.65 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 5 高い放射感度 940 nm に適合する昼光遮断フィルタ エミッタ 高速な応答時間 半感度の角度：冷間距離 = ± 37 ° 赤外線エミッタシリーズ TSKS5400S と組み合わせたパッケージ. 用途:. 電子制御および駆動回路の検出器

シリーズ = NTCLE100E3。温度係数のタイプ = NTC。熱時定数 = 15s。抵抗@ 25℃ = 1kΩ。許容差 = ±5%。最大定格電力 = 500mW。長さ = 3.3mm。奥行き = 3mm。高さ = 9mm。動作温度 Min = -40℃。Vishay NTCLE100E3シリーズラジアルサーミスタ. サーミスタは負の温度係数を使用します。この部品は NTC チップで構成され、 2 本のスズめっき銅ワイヤの間にはんだ付けされています。ベースにグレーコーティングが施され、カラーバンドコードが施されています。コーティングには絶縁特性が指定されていません。. 特長:. 広い温度範囲での精度 長期にわたる高い安定性 優れた価格性能比 RoHS対応 UL 認定、ファイル番号 E148885 取り付け：ラジアル. 用途:. 温度測定、補正、センシング 民生用途や産業用途で制御できます

シリーズ = NTCLE213E3。温度係数のタイプ = NTC。熱時定数 = 5s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±1%。最大定格電力 = 100mW。長さ = 2.5mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 5.5mm。寸法 = 2.5 x 2.5 x 5.5mm

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AC。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。直径 = 3.6mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 3μs。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

最大伝送距離 = 1m。ピーク感度波長 = 910nm。最大伝送速度 = 115.2kbit/s。実装タイプ = 表面実装

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大連続 順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。直径 = 9.1mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大連続 順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。直径 = 9.1mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = SFH

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = SFH

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 80%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 80%。標準降下時間 = 11μs。シリーズ = SFH

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 3.7μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SSOP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = VOS。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor