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RoHS10物質対応(3)
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Vishay N, Pチャンネル MOSFET60 V 190 mA, 300 mA 表面実装 パッケージSC-89-6 6 ピン
VISHAY¥1,698税込¥1,8681袋(20個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N, P。最大連続ドレイン電流 = 190 mA, 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SC-89-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω, 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFET, 20 V, 400 mA, 700 mA, 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)
VISHAY¥1,398税込¥1,5381袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 400 mA, 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω, 578 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 340 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 VデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応







