「sf 20 20」の検索結果

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21回転(電気的)、23回転(機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 15。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.75W。シリーズ = T18。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。0.5 W多回転サーメットトリマ - T18シリーズ. Vishay Sfernice T18シリーズ 15回転サーメットトリマ より線式スライダで接触抵抗が低い シーリング: IP 67

最大抵抗 = 100Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 500Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 500Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 200kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 50kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21回転(電気的)、23回転(機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 100Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21回転(電気的)、23回転(機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21回転(電気的)、23回転(機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 5kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 0.75W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 22mm。軸径 = 3.18 mm。許容差 = ±20%。NFC 83253及びMIL.R.94/36、耐候性カテゴリ: 55 / 125 / 56. 単回転サーメットトラックポテンショメータをシールド - パネルにシールド. Vishay SferniceモデルPRV6。 サーメットトラック付きポテンショメータ、リニア又は対数、IP適合の完全シールド67. 付属品: ナット、ワッシャ、及びパネルに密閉するためのシール はんだ端子による出力。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.56 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 42 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor