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ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.3V。最小ブレークダウン電圧 = 34.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 62A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、Vishay Semiconductor

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。Vishay P13SMシリーズ完全密閉ポテンショメータ. Vishay P13SMシリーズの完全密閉容器サーメットポテンショメータは、水深30 m (100フィート)までの深海条件に浸漬したポテンショメータを使用して電気パラメータを設定する必要がある用途に最適です。. 高い定格電力、1.5 W @70 ℃ 海水の侵入にも耐えるステンレススチールの軸とブッシングを採用 深さ30 mで動作 / 完全密閉IP68パネル 厳密な温度係数(代表値±75 ppm/℃) 深海に対応する密閉パネル 耐塩腐食(試験時間960 h) ヘビーデューティ構造 RoHS Directive 2002/95/ECに適合

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。シャフト長さ = 16mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。Vishay P13SMシリーズ完全密閉ポテンショメータ. Vishay P13SMシリーズの完全密閉容器サーメットポテンショメータは、水深30 m (100フィート)までの深海条件に浸漬したポテンショメータを使用して電気パラメータを設定する必要がある用途に最適です。. 高い定格電力、1.5 W @70 ℃ 海水の侵入にも耐えるステンレススチールの軸とブッシングを採用 深さ30 mで動作 / 完全密閉IP68パネル 厳密な温度係数(代表値±75 ppm/℃) 深海に対応する密閉パネル 耐塩腐食(試験時間960 h) ヘビーデューティ構造 RoHS Directive 2002/95/ECに適合

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。Vishay P13SMシリーズ完全密閉ポテンショメータ. Vishay P13SMシリーズの完全密閉容器サーメットポテンショメータは、水深30 m (100フィート)までの深海条件に浸漬したポテンショメータを使用して電気パラメータを設定する必要がある用途に最適です。. 高い定格電力、1.5 W @70 ℃ 海水の侵入にも耐えるステンレススチールの軸とブッシングを採用 深さ30 mで動作 / 完全密閉IP68パネル 厳密な温度係数(代表値±75 ppm/℃) 深海に対応する密閉パネル 耐塩腐食(試験時間960 h) ヘビーデューティ構造 RoHS Directive 2002/95/ECに適合

ピーク波長 = 870nm。パッケージタイプ = サブミニチュア。放射束 = 55mW。放射強度 = 850mW/sr。実装タイプ = 表面実装。指向半値角 = ±10°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 2.3 x 2.3 x 2.77mm。レンズ形状 = ドーム。LED材質 = GaAlAs。Vishay VSMY2850シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSMY2850RG / VSMY2850Gシリーズは、高速赤外線(IR)発光ダイオードです。 表面実装(SMT)パッケージは、ドーム型レンズ付きの無色透明プラスチック製です。 VSMY2850RG / VSMY2850Gには、取り付け用に複数のリードタイプが揃っています。 VSMY2850RG / VSMY2850G IREDに適した用途には、IrDA対応データ転送、ミニチュアライトバリア、フォトインタラプタ、光スイッチ、近接センサ、赤外線タッチパネル、赤外線照明などが含まれます。. VSMY2850RG / VSMY2850G赤外線LEDの特長: VSMY2850RG - リバースガルウィング(RGW) VSMY2850G - ガルウィング(GW) 寸法: 2.3 x 2.3 x 2.8 mm ピーク波長: 850 nm 高い信頼性 高放射出力 ビーム角度: 20 °

ピーク波長 = 950nm。パッケージタイプ = サブミニチュア。放射束 = 35mW。放射強度 = 7mW/sr。実装タイプ = 表面実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mm。レンズ形状 = ドーム。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSML1000 / 20 / 30 / 40シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSML10x0ファミリは、高出力赤外線(IR)発光ダイオードです。 波長940 nmのTSML10x0赤外線LEDにより、高放射出力が得られます。 このファミリは、ドームレンズ付きで無色透明の表面実装(SMT)プラスチックパッケージに収められています。 TSML10x0赤外線エミッタに最適な用途には、リモートコントロール、穿孔テープリーダー、エンコーダ、フォトインタラプタなどがあります。 TSML1000 - 逆ガルウィング TSML1020 - ガルウィング TSML1030 - ヨークリード TSML1040 - アキシャルリード. TSML10x0赤外線LEDの特長: 寸法: 2.5 x 2 x 2.7 mm ピーク波長: 940 nm 高放射出力 / 強度 ビーム角度: 24 ° 低順方向電圧

キャリアー周波数 = 40kHz。最大伝送距離 = 30m。半値トランスミッション距離角度 = ±55 °。昼光フィルタータイプ = エポキシパッケージ。出力電流 = 5mA。コンポーネント = フォトディテクター，プリアンプ。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。寸法 = 10 x 4 x 12.5mm。高さ = 12.5mm。長さ = 10mm。最大供給電圧 = 5.5V。最小供給電圧 = 2.5V。幅 = 4mm。IRリモコンレシーバ、スルーホールパッケージ、Vishay Semiconductor. Vishay製のIRレシーバは、リモコン及び赤外線通信用途、赤外線コード学習機能 / リピータ、赤外線ライトバリア、赤外線近接センサに使用されます。 赤外線レシーバは、840 → 960 nmの波長範囲で動作します。. 高感度で長い伝送範囲 30 → 56 KHz(最大)キャリア周波数

ピーク波長 850nm。放射束 660mW。放射強度 1600mW/sr。実装タイプ 表面実装。指向半値角 ±45°。LED数 1。ピン数 3。寸法 3.85 3.85 2.24mm。レンズ形状 ドーム。シリーズ Surflight。Vishay VSMY98545シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSMY98545シリーズは、高出力赤外線発光ダイオードです。 この表面実装(SMT)デバイスは、42 milチップを搭載したドーム型成形レンズを備えています。 VSMY98545シリーズは、マシンビジョン、カメラ照明(3Dゲーム)、CMOSカメラの赤外線照明などの用途に適しています。. VSMY98545シリーズの特長: 寸法: 3.85 3.85 2.24 mm ピーク波長: 850 nm 高い信頼性 高放射出力 ビーム角度: 90 °. SurfLight技術. Vishay SemiconductorsのSurfLightシリーズは、高出力赤外線(IR)エミッタで構成されています。 このSurfLight技術により、チップの上面から直接強い光を放出することができます。 標準的な赤外線エミッタは、全方向に光を放出します。 したがって、SurfLight技術により、より強い光出力が得られます。 高光度のため、設計で求められるエミッタの数を少なくすることができます。 このシリーズでは、高パルス電流動作により高速性能を発揮します。 この信頼性の高いSurfLight赤外線LEDは、赤外線データ伝送、赤外線通信、3D TV用メガネの同期、自動車用、産業用、CCTVカメラの赤外線照明などの用途に最適です。

キャリアー周波数 = 38kHz。最大伝送距離 = 20m。半値トランスミッション距離角度 = ±45

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.09mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 96.8V。最小ブレークダウン電圧 = 66.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 60V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 4.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 6.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.087mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 42.1V。最小ブレークダウン電圧 = 28.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 9.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.09mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク波長 850nm。パッケージタイプ 2012 (0805)。放射束 50mW。放射強度 10mW/sr。実装タイプ 表面実装。指向半値角 60°。LED数 1。ピン数 2。寸法 2 1.25 0.85mm。レンズ形状 長方形。シリーズ SurfLight。LED材質 GaAlAs。Vishay VSMY1850シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSMY1850シリーズは、高速赤外線(IR)発光ダイオードです。 表面実装(SMT)の標準0805パッケージに収納されています。 VSMY1850パッケージは、無色透明の上部が平らなレンズを備えています。 VSMY1850 IREDに適した用途には、IrDA対応データ転送、ミニチュアライトバリア、フォトインタラプタ、光スイッチ、近接センサのエミッタソース、タッチパネル、赤外線フラッシュ、3D TVが含まれます。. VSMY1850赤外線LEDの特長: 0805パッケージ 寸法: x 1.25 0.85 ピーク波長: 850 nm 高い信頼性 高放射出力 ビーム角度: 120 °. SurfLight技術. Vishay SemiconductorsのSurfLightシリーズは、高出力赤外線(IR)エミッタで構成されています。 このSurfLight技術により、チップの上面から直接強い光を放出することができます。 標準的な赤外線エミッタは、全方向に光を放出します。 したがって、SurfLight技術により、より強い光出力が得られます。 高光度のため、設計で求められるエミッタの数を少なくすることができます。 このシリーズでは、高パルス電流動作により高速性能を発揮します。 この信頼性の高いSurfLight赤外線LEDは、赤外線データ伝送、赤外線通信、3D TV用メガネの同期、車載用、産業用、CCTVカメラの赤外線照明などの用途に最適です。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.3V。最小ブレークダウン電圧 = 6.67V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 6V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 58.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 30.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。1チップ当たりのエレメント数 = 1

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 16.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.7mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信