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Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥339税込￥3731個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)
VISHAY￥419税込￥4611個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥279税込￥3071個7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 21 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン
VISHAY￥8,498税込￥9,3481セット(25個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 12 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン
VISHAY￥7,698税込￥8,4681セット(25個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm。高さ = 20.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 3.5 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥11,980税込￥13,1781セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 11 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥499税込￥5491個7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージTO-252AA 3 ピン
VISHAY￥2,598税込￥2,8581袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ P。最大連続ドレイン電流 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 60 V。パッケージタイプ TO-252AA。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 28 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 -3V。最低ゲートしきい値電圧 -1V。最大パワー消費 113 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 6.73mm。動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 6.5 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥8,198税込￥9,0181セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 3.6 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
VISHAY￥1,598税込￥1,7581セット(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 42 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET40 V 50 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
VISHAY￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET8 V 6 A 表面実装 パッケージSOT-23-3 (TO-236)
VISHAY￥2,798税込￥3,0781袋(25個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23-3 (TO-236)。実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
