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RoHS10物質対応(18)
「v175」の検索結果
Vishay ファストリカバリー 整流ダイオード， 175A， 200V， 4-Pin SOT-227
VISHAY￥4,398税込￥4,8381個7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-227ピン数 = 4最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 38.3mm幅 = 25.7mm高さ = 12.3mmピーク逆回復時間 = 58ns動作温度 Max = +175 ℃超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥339税込￥3731個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 12A， 100V， 3-Pin DPAK (TO-252)
VISHAY￥829税込￥9121袋(5個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DPAK (TO-252)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 650mV長さ = 6.73mm幅 = 6.22mm高さ = 2.39mm動作温度 Min = -55 ℃高性能ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishay製の高性能なショットキーダイオードは、1 A～175 Aの順方向の定格電流と15 V～150 Vの定格電圧を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 57 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥4,198税込￥4,6181袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 1.5A， 100V， 2-Pin DO-214AC (SMA)
VISHAY￥399税込￥4391袋(10個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 850mV長さ = 4.6mm幅 = 2.9mm動作温度 Max = +150 ℃高性能ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishay製の高性能なショットキーダイオードは、1 A～175 Aの順方向の定格電流と15 V～150 Vの定格電圧を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 6A， 600V， 4-Pin GBPC
VISHAY￥3,398税込￥3,7381袋(5個)7日以内出荷仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 16mm幅 = 16mmUL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 3.8A， 600V， 4-Pin GBU
VISHAY￥2,198税込￥2,4181袋(5個)7日以内出荷仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 3.8Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピンRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード， スタッドカソード， 16A， 800V， 2-Pin DO-4
VISHAY￥1,398税込￥1,5381個7日以内出荷仕様ダイオード構成 = スタッドカソード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.23V長さ = 12.69mm幅 = 11mm高さ = 31.8mm動作温度 Max = +175 ℃標準回復整流器、11 → 40 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード， スタッドアノード， 16A， 400V， 2-Pin DO-4
VISHAY￥5,298税込￥5,8281袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = スタッドアノード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.23V長さ = 12.69mm幅 = 11mm高さ = 31.8mm動作温度 Max = +175 ℃標準回復整流器、11 → 40 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード パネルマウント
VISHAY￥8,498税込￥9,3481個7日以内出荷仕様実装タイプ：パネルマウント 、 パッケージタイプ：TO-240AA 、 ピン数：3 、 長さ：92mm 、 幅：22.6mm 、 高さ：35mm 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 IGBTモジュール、Vishay. Vishayの高効率IGBTモジュールは、PT、NPT、トレンチIGBTの各テクノロジから選べます。 製品にはシングルスイッチ、インバータ、チョッパ、ハーフブリッジ、カスタム構成品などがあります。 スイッチモード電源、無停電電源、溶接、モータドライブ、力率補正システムなどのメインスイッチングデバイスでの使用を念頭に設計されています。 主な用途には、ブースト / バックコンバータ、フォワード / ダブルフォワードコンバータ、ハーフブリッジ、フルブリッジ(Hブリッジ)、3相ブリッジなどがあります。. 幅広い業界標準パッケージスタイル ヒートシンクに直接取り付け PT、NPT、トレンチIGBTテクノロジを選択可能 低VCE(on) IGBT スイッチング周波数: 1 kHz → 150 kHz 堅実な過渡特性 高絶縁電圧: 最大3500 V 100 %鉛(Pb)フリー、RoHS対応 低熱抵抗 広い動作温度範囲(-40 → +175 ℃)RoHS指令(10物質対応)対応
