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IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIPTexas Instruments￥149税込￥164
1個
13日以内出荷
IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP
仕様●論理タイプ：NANDゲート●回路数：2●入力数：4：-●電圧 - 供給：4.75V～5.25V●電流 - 静止(最大)：-●電流 - 出力高、低：40mA、60mA●論理レベル - 低：0.8V●論理レベル - 高：2V●V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：6ns @ 5V、150pF●動作温度：0℃～70℃●取り付けタイプ：スルーホール●サプライヤデバイスパッケージ：14-PDIP●パッケージ/ケース：14-DIP(0.300インチ、7.62mm)アズワン品番67-0410-23
IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOTexas Instruments￥59税込￥65
1個
13日以内出荷
IC GATE AND 4CH 2-INP 14SO
仕様●論理タイプ：ANDゲート●回路数：4●入力数：2：-●電圧 - 供給：2V～6V●電流 - 静止(最大)：2μA●電流 - 出力高、低：5.2mA、5.2mA●論理レベル - 低：0.1V～0.26V●論理レベル - 高：1.998V～5.8V●V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：17ns @ 6V、50pF●動作温度：-40℃～85℃●取り付けタイプ：面実装●サプライヤデバイスパッケージ：14-SO●パッケージ/ケース：14-SOIC(0.209インチ、5.30mm幅)アズワン品番67-0409-16
IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOTexas Instruments￥59税込￥65
1個
13日以内出荷
IC GATE OR 4CH 2-INP 14SO
仕様●論理タイプ：ORゲート●回路数：4●入力数：2：-●電圧 - 供給：2V～6V●電流 - 静止(最大)：2μA●電流 - 出力高、低：5.2mA、5.2mA●論理レベル - 低：0.1V～0.26V●論理レベル - 高：1.998V～5.8V●V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：17ns @ 6V、50pF●動作温度：-40℃～85℃●取り付けタイプ：面実装●サプライヤデバイスパッケージ：14-SO●パッケージ/ケース：14-SOIC(0.209インチ、5.30mm幅)アズワン品番67-0409-29
IC GATE NAND SCHMIT 4CH 2IN 14SOTexas Instruments￥87税込￥96
1個
13日以内出荷
IC GATE NAND SCHMIT 4CH 2IN 14SO
仕様●論理タイプ：NANDゲート●回路数：4●入力数：2：シュミットトリガ●電圧 - 供給：2V～6V●電流 - 静止(最大)：2μA●電流 - 出力高、低：5.2mA、5.2mA●論理レベル - 低：0.1V～0.26V●論理レベル - 高：1.9V～5.9V●V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：19ns @ 6V、50pF●動作温度：-40℃～85℃●取り付けタイプ：面実装●サプライヤデバイスパッケージ：14-SO●パッケージ/ケース：14-SOIC(0.209インチ、5.30mm幅)アズワン品番67-0411-25
