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  • Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 82.4V, SMBJ51CA TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 82.4V, SMBJ51CA

    TAIWAN SEMICONDUCTOR
    2,198税込2,418
    1袋(50個)
    7日以内出荷
    方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 82.4V。最小ブレークダウン電圧 = 56.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 51V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 9.2V, SMBJ5V0CA TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 9.2V, SMBJ5V0CA

    TAIWAN SEMICONDUCTOR
    2,798税込3,078
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 27.6V, SMBJ17A TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 27.6V, SMBJ17A

    TAIWAN SEMICONDUCTOR
    2,498税込2,748
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 87.1V, SMBJ54CA TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 87.1V, SMBJ54CA

    TAIWAN SEMICONDUCTOR
    2,798税込3,078
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 72.7V, SMBJ45CA TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 72.7V, SMBJ45CA

    TAIWAN SEMICONDUCTOR
    2,398税込2,638
    1袋(50個)
    7日以内出荷
    ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 72.7V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 45V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 8.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 193V, SMBJ120CA TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 193V, SMBJ120CA

    TAIWAN SEMICONDUCTOR
    61,980税込68,178
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 193V。最小ブレークダウン電圧 = 133V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 120V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 3.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
    RoHS指令(10物質対応)対応
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