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「aa-600」の検索結果
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 35.5V， SMBJ22CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,198税込￥1,3181袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 35.5V。最小ブレークダウン電圧 = 24.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 22V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 16.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 32.4V， SMBJ20CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,898税込￥3,1881セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 32.4V。最小ブレークダウン電圧 = 22.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 20V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 18.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 137V， SMBJ85A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,798税込￥3,0781セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 137V。最小ブレークダウン電圧 = 94.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 85V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 4.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 9.2V， SMBJ5V0A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,498税込￥1,6481袋(25個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 243V， SMBJ150CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,598税込￥2,8581袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 243V。最小ブレークダウン電圧 = 167V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 150V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 2.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 87.1V， SMBJ54A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥3,698税込￥4,0681セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 193V， SMBJ120CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥59,980税込￥65,9781セット(3000個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 193V。最小ブレークダウン電圧 = 133V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 120V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 3.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 42.1V， SMBJ26CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,398税込￥2,6381袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 42.1V。最小ブレークダウン電圧 = 28.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 14.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 9.2V， SMBJ5V0CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,998税込￥3,2981セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 87.1V， SMBJ54CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,998税込￥3,2981セット(50個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 18.2V， SMBJ11A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥3,500税込￥3,8501セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 18.2V。最小ブレークダウン電圧 = 12.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 11V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 27.6V， SMBJ17A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,698税込￥2,9681セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 72.7V， SMBJ45CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,598税込￥2,8581袋(50個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 72.7V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 45V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 8.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 82.4V， SMBJ51CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,5281袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 82.4V。最小ブレークダウン電圧 = 56.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 51V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 18.2V， SMBJ11A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥3,500税込￥3,8501セット(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 18.2V最小ブレークダウン電圧 = 12.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 11Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 21.5V， SMBJ13CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,998税込￥3,2981袋(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 21.5V最小ブレークダウン電圧 = 14.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 13Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 27.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm幅 = 3.95mmRoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 27.6V， SMBJ17A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,698税込￥2,9681セット(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 82.4V， SMBJ51CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,5281袋(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 82.4V最小ブレークダウン電圧 = 56.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 51Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
