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Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 243V， SMCJ150CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,798税込￥1,9781セット(20個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 35.5V， SMBJ22CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,298税込￥1,4281袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 35.5V。最小ブレークダウン電圧 = 24.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 22V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 16.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 82.4V， SMBJ51CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,198税込￥2,4181袋(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 82.4V最小ブレークダウン電圧 = 56.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 51Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 27.6V， SMBJ17A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,498税込￥2,7481セット(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 64.5V， SMCJ40A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,698税込￥1,8681袋(20個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 64.5V最小ブレークダウン電圧 = 44.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 40Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 23.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 21.5V， SMBJ13CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,998税込￥3,2981袋(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 21.5V最小ブレークダウン電圧 = 14.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 13Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 27.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm幅 = 3.95mmRoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 18.2V， SMBJ11A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥3,398税込￥3,7381セット(50個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 18.2V最小ブレークダウン電圧 = 12.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 11Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 96.8V， SMCJ60A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥139,800税込￥153,7801セット(3000個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 96.8V最小ブレークダウン電圧 = 66.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 60Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 15.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm高さ = 2.75mmRoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 32.4V， SMCJ20A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,898税込￥2,0881袋(20個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 32.4V最小ブレークダウン電圧 = 22.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 20Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 46.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 38.9V， SMCJ24CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,198税込￥1,3181袋(20個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 38.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm長さ = 7.15mmRoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 126V， SMCJ78CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥769税込￥8461袋(20個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 126V最小ブレークダウン電圧 = 86.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 78Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 11.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 121V， SMCJ75CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥929税込￥1,0221袋(25個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 121V。最小ブレークダウン電圧 = 92.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 75V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 87.1V， SMBJ54A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,498税込￥2,7481セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 32.4V， SMCJ20A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,898税込￥2,0881袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 32.4V。最小ブレークダウン電圧 = 22.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 20V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 46.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 38.9V， SMCJ24CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,198税込￥1,3181袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 38.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 19.9V， SMCJ12A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,898税込￥2,0881袋(20個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 75.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 93.6V， SMCJ58A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥99,980税込￥109,9781セット(3000個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 93.6V。最小ブレークダウン電圧 = 64.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 58V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 16A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 275V， SMCJ170CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,1981袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 275V。最小ブレークダウン電圧 = 189V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 170V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 5.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 9.2V， SMBJ5V0A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,698税込￥1,8681袋(25個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 126V， SMCJ78CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥769税込￥8461袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 126V。最小ブレークダウン電圧 = 86.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 78V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 11.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 64.5V， SMCJ40A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,698税込￥1,8681袋(20個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 23.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 82.4V， SMBJ51CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,198税込￥2,4181袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 82.4V。最小ブレークダウン電圧 = 56.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 51V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 96.8V， SMCJ60A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥139,800税込￥153,7801セット(3000個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 96.8V。最小ブレークダウン電圧 = 66.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 60V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 15.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 23.2V， SMCJ14CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,398税込￥1,5381袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 23.2V。最小ブレークダウン電圧 = 15.6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 14V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 64.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 18.2V， SMCJ11A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,198税込￥1,3181袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 18.2V。最小ブレークダウン電圧 = 12.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 11V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 82.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 69.4V， SMCJ43A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥889税込￥9781セット(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 69.4V。最小ブレークダウン電圧 = 47.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 43V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 21.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 17V， SMCJ10A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,1981袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 10V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 88.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 193V， SMBJ120CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥61,980税込￥68,1781セット(3000個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 193V。最小ブレークダウン電圧 = 133V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 120V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 3.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 42.1V， SMBJ26CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,198税込￥2,4181袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 42.1V。最小ブレークダウン電圧 = 28.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 14.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 9.2V， SMBJ5V0CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,798税込￥3,0781セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 87.1V， SMBJ54CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,798税込￥3,0781セット(50個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 18.2V， SMBJ11A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥3,398税込￥3,7381セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 18.2V。最小ブレークダウン電圧 = 12.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 11V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 27.6V， SMBJ17A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,498税込￥2,7481セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 72.7V， SMBJ45CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,398税込￥2,6381袋(50個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 72.7V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 45V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 8.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 32.4V， SMBJ20CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,798税込￥3,0781セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 32.4V。最小ブレークダウン電圧 = 22.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 20V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 18.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 137V， SMBJ85A
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,698税込￥2,9681セット(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 137V。最小ブレークダウン電圧 = 94.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 85V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 4.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応Taiwan Semiconductor TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 243V， SMBJ150CA
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,398税込￥2,6381袋(50個)7日以内出荷方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 243V。最小ブレークダウン電圧 = 167V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 150V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 2.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
