Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 19.9V, SMCJ12ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 75.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 19.9V, SMCJ12ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0ピン数(ピン)2動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12最大クランピング電圧(V)19.9最小ブレークダウン電圧(V)13.3ピークパルスパワー消費(W)1500最大ピークパルス電流(A)75.3最大逆漏れ電流(μA)5方向性タイプ単方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 19.9V, SMCJ12CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様●方向性タイプ : 双方向●最大クランピング電圧 : 19.9V●最小ブレークダウン電圧 : 13.3V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 : 12V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 1500W●最大ピークパルス電流 : 75.3A●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 : 5μA●過渡電圧サプレッサ●SMT双方向1500 W●SMCJシリーズ●Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 126V, SMCJ78CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 126V最小ブレークダウン電圧 = 86.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 78Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 11.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm高さ = 2.75mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 121V, SMCJ75CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 121V最小ブレークダウン電圧 = 92.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 75Vピン数 = 2最大ピークパルス電流 = 12.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 18.2V, SMCJ11ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 18.2V最小ブレークダウン電圧 = 12.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 11Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 82.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 126V, SMCJ78CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 126V最小ブレークダウン電圧 = 86.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 78Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 11.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応