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RoHS10物質対応(8)
「mw-150」の検索結果
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia￥799税込￥8791袋(25個)3日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 60 V， 360 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
nexperia￥1,198税込￥1,3181リール(50個)欠品中仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.6V最低ゲートしきい値電圧 = 0.48V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP ツェナーダイオード， 5.6V， 1 W， 2-Pin SOD-123F
nexperia￥1,998税込￥2,1981袋(75個)8日以内出荷仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SOD-123Fツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 2.5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.7mm寸法 = 2.7 x 1.7 x 1.2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、NZHシリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
