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RoHS10物質対応(8)
「ns型」の検索結果
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 400 mA， 3 ピン パッケージSOT-89
nexperia￥819税込￥9011袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 49 nsNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nチャンネル MOSFET 184 A 表面実装 パッケージLFPAK 4 + Tab ピン 1セット 1500個入
nexperia￥199,800税込￥219,7801セット(1500個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：184 A●最大ドレイン-ソース間電圧：55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.3V●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大ゲート-ソース間電圧：15 V●パッケージタイプ：LFPAK●実装タイプ：表面実装●ピン数：4 + Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：85 W●標準ターンオフ遅延時間：44 ns●RoHS適合状況：適合●コード番号：170-4884アズワン品番68-4150-95
Nexperia Pチャンネル MOSFET， 50 V， 150 mA， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)
nexperia￥1,398税込￥1,5381リール(100個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル Nチャンネル MOSFET， 60 V， 320 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)
nexperia￥1,298税込￥1,4281リール(40個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 320 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 320 mW標準ターンオン遅延時間 = 2 nsデュアルNチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
