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RoHS10物質対応(245)
「xperia 1 v」の検索結果
Nexperia ツェナーダイオード， 12V， 1 W， 2-Pin SOD-66
nexperia￥1,898税込￥2,0881袋(100個)当日出荷仕様標準ツェナー電圧 = 12V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SOD-66ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 21mA最大逆漏れ電流 = 5μA直径 = 2.6mm寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.8mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 1A， 20V， 2-Pin SOD-323
nexperia￥599税込￥6591袋(20個)翌々日出荷仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， 250mA， 125V， 2-Pin DO-34，エレメント数 1， シングル
nexperia￥999税込￥1,0991袋(20個)当日出荷仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 125Vパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.04 x 1.6 x 1.6mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応Nexperia ショットキーバリアダイオード， 1A， 20V， 2-Pin SOD-323
nexperia￥719税込￥7911袋(20個)翌々日出荷仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Max = +125 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 1A， 20V， 2-Pin I-IGIA
nexperia￥939税込￥1,0331袋(20個)翌々日出荷仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 6Aショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia￥799税込￥8791袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP ツェナーダイオード， 5.6V， 1 W， 2-Pin SOD-123F
nexperia￥1,998税込￥2,1981袋(75個)7日以内出荷仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SOD-123Fツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 2.5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.7mm寸法 = 2.7 x 1.7 x 1.2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、NZHシリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V， 16-Pin SOIC
nexperia￥1,898税込￥2,0881本(50個)7日以内出荷仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル， シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 6.2V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia￥1,298税込￥1,4281袋(100個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V， 16-Pin SOIC
nexperia￥85税込￥941個7日以内出荷仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル， シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 4.3V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia￥309税込￥3401袋(20個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -2.5mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 9.1V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia(1件のレビュー)￥309税込￥3401袋(20個)当日出荷仕様標準ツェナー電圧 = 9.1V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 1A， 60V， 2-Pin SOD-323F
nexperia￥669税込￥7361袋(20個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 1A， 20V， 2-Pin SOD-123F
nexperia￥799税込￥8791袋(20個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.7mm幅 = 2.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 12V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia(1件のレビュー)￥319税込￥3511袋(20個)当日出荷仕様標準ツェナー電圧 = 12V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 4.7V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia￥339税込￥3731袋(20個)当日出荷仕様標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.4mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
