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エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(12)
「223-m」の検索結果
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET40 V 6.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンDiodesZetex￥57,980税込￥63,778
1セット(1000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 3.7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンDiodesZetex￥149,800税込￥164,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.7mm高さ = 1.7mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンDiodesZetex￥119,800税込￥131,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.8mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET40 V 7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンDiodesZetex￥109,800税込￥120,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
電圧監視スイッチ 0～6V 1.5W 3+Tab-PinDiodesZetex￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様スイッチオン抵抗：675mΩ 、 出力数：1 、 電圧：0 → 6V 、 パワーレーティング：1.5W 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 ピン数：3 + Tab 、 寸法：6.7 x 3.7 x 1.65mm 、 長さ：6.7mm 、 幅：3.7mm 、 高さ：1.65mm 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンDiodesZetex￥879税込￥967
1袋(10個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.8mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
