「BR-100」の検索結果

出力電流 = 1mA入力電圧 = 7 → 30 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-23-5ピン数 = 5出力電圧 Max = 30V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.25AAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-25ピン数 = 5出力電圧 Max = 65V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2.1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 25 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用PNPトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 175 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 80 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 40 V出力電圧 Min = 2.5 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 550mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 27V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm標準電圧温度係数 = 23.35mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOP電源タイプ = ±2電源， 単一電源回路数 = 2ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±16V動作温度 Max = +70 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 3.95mmオペアンプ、最大供給電圧36 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.7mm高さ = 1.7mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 10.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 225 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.1 x 3 x 1.4mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 600 mW最小DC電流ゲイン = 250トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 900 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 5000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.65 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.96 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA幅 = 1.4mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

標準ツェナー電圧 = 13V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm標準電圧温度係数 = 7 → 11mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 330 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 140 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 2最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = ESDサプレッサツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 480Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 0.005%/℃ツェナーダイオード300 mW、AZ23Cシリーズ、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm高さ = 1mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 150mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 750mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = PowerDI 5最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 890mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 120ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = PowerDI 5最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 250ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 7mA最大ツェナーインピーダンス = 21Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

アンプタイプ = 低電圧実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353電源タイプ = 単一電源回路数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Max = +85 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 1.35mmオペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

出力電流 = 1.25A入力電圧 = 6 → 60 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = DC 電圧， PWM最大出力パワー = 1W用途 = 自動車用照明、非常灯、産業用照明、住居照明、SELV照明、標識照明パッケージタイプ = TSOT-25ピン数 = 5出力電圧 Max = 60V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc