「cl001g」の検索結果

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 4mA。幅 = 1.7mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = 74AHCT。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。チャンネル数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -8mA。低レベル出力電流 Max = 8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応