「dio zx」の検索結果

Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 350 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 20μA。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード350 mW、BZX84Cシリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧公差: 6 % 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 350 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 480Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード350 mW、BZX84Cシリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧公差: 6 % 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 14V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 7.5μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 350 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード350 mW、BZX84Cシリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧公差: 6 % 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 3 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -4.3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V。最大動作周波数 = 120 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.6 x 2.6 x 1.6mm。汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.7 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.196 V。出力電圧 Max = 1.244 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 12mA。出力電圧 Min = 1.213 V。出力電圧 Max = 1.237 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.21 V。出力電圧 Max = 1.23 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 20 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.214 V。出力電圧 Max = 1.226 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc