「et-2」の検索結果

論理回路 = 74LVC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = プッシュプル。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74LVCファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = 74AHCT。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。チャンネル数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -8mA。低レベル出力電流 Max = 8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V。最大パワー消費 = 1.08 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 70 V。シリーズ = IntelliFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。IntelliFET自己保護式MOSFET、Diodes Inc. IntelliFETは自己保護式MOSFETで、完全な保護回路アレイを内蔵しているため、ESD(静電気に敏感なデバイス)、過電流、過電圧、過熱状態から保護されます。. 短絡保護、自動リスタート機能付き 過電圧保護(アクティブクランプ) 過電流保護 入力保護(ESD) 高連続定格電流 ロードダンプ保護 ロジックレベル入力

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 720 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

標準シングル供給電圧 = 2.5 → 20 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm。高さ = 1mm。長さ = 3.05mm。幅 = 1.4mm。電流検出アンプ、DiodesZetex

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.8mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 500 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。高さ = 1.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 140 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 700 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm。高さ = 1mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 170 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3。高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4148シリーズ、Diodes Inc. ダイオード素子 x 5及びコモンカソード 低順方向電圧降下

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

出力電流 = 1mA。入力電圧 = 7 → 30 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-23-5。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 30V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 3mm。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

出力電流 = 1.25A。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-25。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 65V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 900 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 5000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.65 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.96 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA。幅 = 1.4mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

電圧管理タイプ = マイクロプロセッサリセットモニタ。管理数 = 1。出力ドライバ = アクティブ ロー， プッシュプル。実装タイプ = 表面実装ms。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。最大リセット閾値電圧 = 4.72V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃V。マイクロプロセッサ監視 / リセット回路、Diodes Inc

出力電流 = 1A。入力電圧 = 8 → 30 V dc。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = DC 電圧， PWM。最大出力パワー = 3W。用途 = LED照明。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。定格電流 = 0 → 1000mA。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

コンパレータタイプ = 汎用。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。出力タイプ = オープンコレクタ。回路数 = 1。標準応答時間 = 1.3μs。ピン数 = 5。標準シングル供給電圧 = 2 → 36 V。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。長さ = 3.1mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.3mm。標準デュアル供給電圧 = ±1 to ±18V。シングルコンパレータ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 70mA。ピーク逆繰返し電圧 = 70V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3 + Tab。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 2000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.95 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.13 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA。幅 = 3.7mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SOT-26。最大連続 順方向電流 350mA。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シリーズ。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 6。最大順方向降下電圧 600mV。1チップ当たりのエレメント数 4。ダイオードテクノロジー ショットキー。ピーク逆回復時間 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5A。DiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。