「inc200」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 21Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 175 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、DDZ9シリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 0.25mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 150μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 95Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 0.4 → 3.7mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 1.2 → 4.5mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 140 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

論理回路 = 74AHCT。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。チャンネル数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -8mA。低レベル出力電流 Max = 8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応