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DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.1 A、4.98 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
DiodesZetex￥1,198税込￥1,3181袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.35 W。トランジスタ構成 = フルブリッジ。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET250 V 197 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
DiodesZetex￥199,800税込￥219,7801セット(3000個)7日以内出荷PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 197 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 1.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 1.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
Pチャンネル パワーMOSFET スルーホール 3ピン
DiodesZetex￥189,800税込￥208,7801セット(2000個)7日以内出荷仕様●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V寸法(mm)4.77 x 2.41 x 4.01RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-92実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)700チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)280最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最大ゲートしきい値電圧(V)3.5トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET
デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 表面実装 7ピン
DiodesZetex￥3,698税込￥4,0681袋(50個)7日以内出荷仕様●最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 Vピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応パッケージU-DFN2030実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.7チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)9.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)28最大ゲートしきい値電圧(V)1.1カテゴリーパワーMOSFET
