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DiodesZetex ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥19,980税込￥21,9781セット(3000個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 0.25mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex ツェナーダイオード 18V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥999税込￥1,0991セット(100個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 21Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex ツェナーダイオード 8.2V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥16,980税込￥18,6781セット(3000個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥1,298税込￥1,4281袋(100個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、DDZ9シリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥23,980税込￥26,3781セット(3000個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 95Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex ツェナーダイオード 6.2V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥18,980税込￥20,8781セット(3000個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 0.4 → 3.7mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex ツェナーダイオード 6.8V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥16,980税込￥18,6781セット(3000個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 1.2 → 4.5mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex ツェナーダイオード 3.9V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥16,980税込￥18,6781セット(3000個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex ツェナーダイオード 2V 表面実装 200 mW
DiodesZetex￥19,980税込￥21,9781セット(3000個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 150μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， BC847BS-7-F
DiodesZetex￥21,980税込￥24,1781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， BC847BW-7-F
DiodesZetex￥15,980税込￥17,5781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex Nチャンネル MOSFET50 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
DiodesZetex￥45,980税込￥50,5781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 200 mA， MMSTA42-7-F
DiodesZetex￥23,980税込￥26,3781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
DiodesZetex￥26,980税込￥29,6781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
DiodesZetex￥87,980税込￥96,7781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 200 mA， MMST3904-7-F
DiodesZetex￥1,298税込￥1,4281袋(100個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex トランジスタ， NPN/PNP， 表面実装， 600 mA， MMDT4413-7-F
DiodesZetex￥1,998税込￥2,1981袋(50個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex トランジスタ， PNP， 表面実装， -200 mA， DMMT3906W-7-F
DiodesZetex￥51,980税込￥57,1781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， PNP， 表面実装， -600 mA， MMST2907A-7-F
DiodesZetex￥1,398税込￥1,5381セット(100個)7日以内出荷トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex トランジスタ， NPN/PNP， 表面実装， 200 mA， MMDT5451-7-F
DiodesZetex￥38,980税込￥42,8781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 80， 60。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， BC846B-7-F
DiodesZetex￥1,098税込￥1,2081袋(100個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， DSS20201L-7
DiodesZetex￥1,998税込￥2,1981セット(50個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 600 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超RoHS指令(10物質対応)対応
NPN 抵抗内蔵トランジスタ 50V 100mA 1Ω 3-Pin
DiodesZetex￥2,398税込￥2,6381袋(200個)7日以内出荷幅(mm)1.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応入力抵抗1KΩパッケージSOT-23実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)200最大エミッタ-ベース間電圧(V)5抵抗比なし最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3最大連続コレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100
