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DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 600 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン
DiodesZetex￥279,800税込￥307,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 600 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 270 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥219,800税込￥241,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 270 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。高さ = 4.01mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥139,800税込￥153,7801セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥26,980税込￥29,6781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 500 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 270 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥249,800税込￥274,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 270 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。高さ = 4.01mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
DiodesZetex￥87,980税込￥96,7781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥72,980税込￥80,2781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET200 V 60 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥769税込￥8461袋(10個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン
DiodesZetex￥29,980税込￥32,9781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
