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DiodesZetex Pチャンネル MOSFET20 V 4.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥32,980税込￥36,2781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
DiodesZetex￥229,800税込￥252,7801セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥899税込￥9891袋(10個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.8mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 280 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥319,800税込￥351,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 280 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。高さ = 4.01mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET50 V 130 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥18,980税込￥20,8781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 4.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
DiodesZetex￥1,798税込￥1,9781袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 3.7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥169,800税込￥186,7801セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。高さ = 1.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET30 V 3.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥48,980税込￥53,8781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V。最大パワー消費 = 1.08 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET200 V 35 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥149,800税込￥164,7801セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET40 V 6.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥65,980税込￥72,5781セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 1.1 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥93,980税込￥103,3781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 230 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥989税込￥1,0881袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 230 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4.77mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 5.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
DiodesZetex￥379,800税込￥417,7801セット(2500個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 10.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
DiodesZetex￥149,800税込￥164,7801セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 700 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥109,800税込￥120,7801セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 700 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm。高さ = 1mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
