「sc89」の検索結果

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 0.85mm高さ = 0.8mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.7mm幅 = 0.85mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc