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RoHS10物質対応(19)
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DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンDiodesZetex￥129,800税込￥142,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンDiodesZetex￥189,800税込￥208,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.8mm高さ = 1.3mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN/PNP， 表面実装， 1 A， ZXTD4591E6TADiodesZetex￥119,800税込￥131,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.7 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex MOSFETゲートドライバ ローサイド 非反転DiodesZetex￥109,800税込￥120,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
供給電圧 = 25Vトポロジー = ローサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転ゲートドライバトランジスタ、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET250 V 197 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンDiodesZetex￥179,800税込￥197,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 197 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 1.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 1.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET60 V 1.8 A、1.5 A 表面実装 パッケージSM 8 ピンDiodesZetex￥199,800税込￥219,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.6mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 4.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンDiodesZetex￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmデュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFETドライバ 40VmAx. 6-PinDiodesZetex￥929税込￥1,022
1袋(30個)
7日以内出荷
仕様動作供給電圧 Max：40 V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-26 、 ピン数：6 、 動作温度 Min：-55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFETドライバ 1チャンネル 非反転DiodesZetex￥109,800税込￥120,780
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様●動作供給電圧 Max：25 V極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応ドライバ数1トポロジーローサイド
MOSFETドライバ 6-PinDiodesZetex￥86,980税込￥95,678
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様動作供給電圧 Max：40 V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-26 、 ピン数：6 、 動作温度 Min：-55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， MMBTA06-7-FDiodesZetex￥16,980税込￥18,678
1セット(3000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
