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実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25ADiodes Inc 1N5817-1N5819ショットキーバリア整流器. 特長:. 過渡保護用のガードリングダイ構造 低電力損失、高効率 高サージ耐量 高電流容量及び低順方向電圧降下 鉛フリー仕上げ、RoHS適合. 特長:. ケース: DO-41 ケース素材: 成形プラスチックUL燃焼性分類 / 等級94V-0 極性: カソードバンド マーキング: 型番及び日付コード 耐湿性: J-STD-020C準拠のレベル1. 代表的用途. ショットキーダイオードは、電圧クランプ用途に使用します。. 低電圧及び高周波インバータ 還流 極性保護用途

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 500トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.5 x 2.5 x 1.5mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.35 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

電流検出アンプ、DiodesZetex

供給電圧 = 25Vトポロジー = ローサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転ゲートドライバトランジスタ、Diodes Inc

ロジックタイプ = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5ns高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

標準シングル供給電圧 = 2.5 → 20 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm高さ = 1mm長さ = 3.05mm幅 = 1.4mm電流検出アンプ、DiodesZetex

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = AHC寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.35mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 50mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード1 W、SMAZシリーズ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 100mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、SMAZシリーズ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 150μA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123