「v-5.5」の検索結果

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

論理回路 = 74LVCロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = プッシュプル極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74LVCファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = オープンドレイン極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

アンプタイプ = 低電圧実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353電源タイプ = 単一電源回路数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Max = +85 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 1.35mmオペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

アンプタイプ = ローノイズ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Min = -40 ℃レール to レール = レール to レール出力幅 = 4.5mmオペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = XOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.35mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.35mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOP電源タイプ = 単一電源回路数 = 2ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 2.5 → 5.5 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Min = -40 ℃レール to レール = レール to レール出力幅 = 3.95mmオペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = シュミットトリガ動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 1.7mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.7mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = シュミットトリガ動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.35mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

センサータイプ = ホール効果センサ実装タイプ = 表面実装マグネットタイプ = オムニポーラ動作供給電圧 Max = 5.5 V動作供給電圧 Min = 2.5 Vパッケージタイプ = SC-59ピン数 = 3動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃ホール効果スイッチ及びラッチ、Diodes Inc

電圧管理タイプ = マイクロプロセッサリセットモニタ管理数 = 1出力ドライバ = アクティブ ロー， プッシュプル実装タイプ = 表面実装msパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm最大リセット閾値電圧 = 4.72V動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Min = -40 ℃Vマイクロプロセッサ監視 / リセット回路、Diodes Inc

ロジックタイプ = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5ns高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V最大パワー消費 = 750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc