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デスクトップPC用メモリ PC4-21300(DDR4-2666) 1.2V 288pin U-DIMM CL19
TRANSCEND(トランセンド)￥56,980～税込￥62,678～1個13日以内出荷トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。規格DDR4 SDRAM電圧(V)1.2保証期間無期限保証ピン数(ピン)288動作温度(℃)0(32°F)～85(185°F)RoHS指令(10物質対応)対応メモリーモジュール規格PC4-21300メモリークロック2666CASレイテンシーCL19メモリーインターフェイスUnbuffered Long-DIMM
ノートPC用メモリ PC4-21300(DDR4-2666) 1.2V 260pin SO-DIMM CL19
TRANSCEND(トランセンド)￥57,980～税込￥63,778～1個13日以内出荷トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。規格DDR4 SDRAM電圧(V)1.2保証期間無期限保証ピン数(ピン)260動作温度(℃)0(32°F)～85(185°F)RoHS指令(10物質対応)対応メモリーモジュール規格PC4-21300メモリークロック2666CASレイテンシーCL19メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
ノートPC用メモリ DDR4 SO-DIMM
TRANSCEND(トランセンド)￥25,980～税込￥28,578～1個12日以内出荷トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。仕様DIMM種類： SO-DIMMメモリクロック：2666CASレイテンシー：CL19電圧：1.2Vピン：260 pinPCB高：1.18 インチ容量【DRAM】1Gx8
ノートPC用メモリ DDR4-2666
TRANSCEND(トランセンド)￥17,980税込￥19,7781個13日以内出荷トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。種別ランク：1R×8、DRAM：512M×8、PCB高：1.18 インチ規格DDR4-2666電圧(V)1.2ピン数(ピン)260動作周囲温度(℃)0 (32°F) ～ 85 (185°F)内蔵RAMDDR4RoHS指令(10物質対応)対応容量(GB)4メモリークロック2666CASレイテンシーCL19メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
デスクトップPC用メモリ DDR4 -2666
TRANSCEND(トランセンド)￥17,980税込￥19,7781個13日以内出荷トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。種別ランク：1R×8、DRAM：512M×8、PCB高：1.23 インチ規格DDR4電圧(V)1.2ピン数(ピン)288動作周囲温度(℃)0 (32°F) ～ 85 (185°F)内蔵RAMDDR4RoHS指令(10物質対応)対応容量(GB)4メモリークロック2666CASレイテンシーCL19メモリーインターフェイスUnbuffered Long-DIMM
