「1ω 1w」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 20V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 12.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 22Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 76mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 13V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 19mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 10.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 5.21 x 2.72 x 2.72mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 16Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 13V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 53mA。最大ツェナーインピーダンス = 8Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 31mA。最大ツェナーインピーダンス = 4.5Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

標準ツェナー電圧 = 9.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 28mA。最大ツェナーインピーダンス = 5Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 = 30V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = ケース017AA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 40mA。最大ツェナーインピーダンス = 140 Ω @ 1 mA， 8 Ω @ 40 mA。最大逆漏れ電流 = 3.7μA。寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm。動作温度 Min = -65 ℃A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.2 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 242 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 200mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Max +200 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 14V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 100mA。最大ツェナーインピーダンス 2.5Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ツェナーダイオード5 Surmetic、1N5347 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic 40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 100 A、238 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.7 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 104 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.05mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.3mm。高さ = 0.75mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.73mm。高さ = 2.39mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 189 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.7mm。高さ = 1.7mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 69 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 58.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

標準ツェナー電圧 17V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ Surmetic 40。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 70mA。最大ツェナーインピーダンス 75Ω。最大逆漏れ電流 500nA。寸法 3.68 (Dia.) 8.89mm。動作温度 Max +200 ℃。ツェナーダイオード5 Surmetic、1N5347 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic 40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。シリーズ = MegaFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。長さ = 6.73mm。高さ = 2.39mm。MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 69 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 48 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 7.8 nC @ 5 Vmm。高さ = 16.51mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。動作温度 Min = -65 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。