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  • onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA, 100V, 4.95 x 4.2 x 2.7mm, MB1S onsemi

    onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA, 100V, 4.95 x 4.2 x 2.7mm, MB1S

    onsemi
    1,698税込1,868
    1箱(25個)
    5日以内出荷
    仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.7ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)500
  • onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 100V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF01S onsemi

    onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 100V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF01S

    onsemi
    969税込1,066
    1箱(10個)
    5日以内出荷
    仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×3.3高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55~+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1
  • onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA, 100V, 4.95 x 4.2 x 2.7mm, MB1S onsemi

    onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA, 100V, 4.95 x 4.2 x 2.7mm, MB1S

    onsemi
    1,698税込1,868
    1袋(25個)
    欠品中
    ピーク平均順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 4.95mm。高さ = 2.7mm。UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3G

    onsemi
    389税込428
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, BC856BDW1T1G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, BC856BDW1T1G

    onsemi
    919税込1,011
    1袋(100個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 220。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, MMBTA05LT1G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, MMBTA05LT1G

    onsemi
    1,098税込1,208
    1セット(100個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847BDW1T1G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847BDW1T1G

    onsemi
    14,980税込16,478
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BTT1G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BTT1G

    onsemi
    12,980税込14,278
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.9mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC848ALT1G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC848ALT1G

    onsemi
    11,980税込13,178
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 110。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -800 mA, MMBT3906LT3G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -800 mA, MMBT3906LT3G

    onsemi
    28,980税込31,878
    1セット(10000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
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