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onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 500mA， 100V， 4.95 x 4.2 x 2.7mm， MB1S
onsemi
￥1,898税込￥2,088
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.7ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)500
onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 500mA， 100V， 4.95 x 4.2 x 2.7mm， MB1S
onsemi
￥1,898税込￥2,088
1袋(25個)
欠品中
ピーク平均順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 4.95mm。高さ = 2.7mm。UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 100V， 8.51 x 6.5 x 3.3mm， DF01S
onsemi
￥899税込￥989
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×3.3高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1
onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 500 mA， BC817-25LT3G
onsemi
￥429税込￥472
1袋(25個)
翌々日出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，表面実装， -200 mA， BC856BDW1T1G
onsemi
￥1,298税込￥1,428
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 220。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 500 mA， MMBTA05LT1G
onsemi
￥999税込￥1,099
1セット(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 100 mA， BC847BDW1T1G
onsemi
￥17,980税込￥19,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，表面実装， -800 mA， MMBT3906LT3G
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￥27,980税込￥30,778
1セット(10000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応