「150pf」の検索結果

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファ回路数 = 4入力タイプ = ショットキー出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.2mA低レベル出力電流 Max = 7.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 7.59mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523Fピン数 = 2mV最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmパワー消費 = 200mWON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 12.5V最小ブレークダウン電圧 = 5.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-923最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 0.3W最大ピークパルス電流 = 12.5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm自動車規格 = AEC-Q101pF低静電容量ESD保護アレイ

ダイオード構成 = シングルmA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 250Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmパワー消費 = 385mW

ダイオード構成 = シングルmA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 70Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 2.5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmパワー消費 = 300mW

最大順方向電流 = 225mA1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 250Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm自動車規格 = AEC-Q101mW

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 7Vパッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3mV最大ダイオードキャパシタンス = 1pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.11mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.11mmメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. RF帯スイッチングダイオード、ON Semiconductor. HF、RF、マイクロ波の混合及び検出用途に最適なRF (無線周波数)ダイオードです。

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 70Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 2.5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmパワー消費 = 300mWコモンカソードスイッチングダイオードは、超高速スイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm自動車規格 = AEC-Q101mWこのスイッチングダイオードは、高速スイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、自動挿入に最適な SOT-23 表面実装パッケージに収容されています。鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 11V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 300W最大ピークパルス電流 = 17AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mm高速ライン保護のための300 W低静電容量TVS. 補償ダイオードにTVSダイオードを直列接続することで、静電容量を5 pF未満に抑制 ピーク定格出力: 300 W、8 x 20 μs