仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.8幅(mm)1.35高さ(mm)1寸法1.8 x 1.35 x 1mmダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1最大順方向電流(mA)300最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.3幅(mm)0.9高さ(mm)0.7寸法1.3 x 0.9 x 0.7mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75