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onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 14-Pin， 回路数:4， 74LCX125MTC
onsemi￥2,398税込￥2,6381セット(94個)7日以内出荷論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， 回路数:8， 74LVT244MTC
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(10個)7日以内出荷仕様●74LVTファミリ、Fairchild Semiconductor. 低電圧BiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 2.7 → 3.6 互換性: 入力LVTTL/TTL、出力LVTTL●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：74LVT寸法(mm)6.5×4.4×0.9タイプロジック：バッファ， ラインドライバインターフェースバッファ&ラインドライバIC出力電流(mA)低レベル：(Max)64、高レベル：(Max)-32ピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.6最大伝播遅延時間@最大CL4.2ns出力タイプ3ステート
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FQB5N90TM
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(5個)7日以内出荷仕様この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途 照明ピン数(ピン)2 + TabRoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)158最大動作温度(℃)150
