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onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 8 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥719税込￥7911個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 310000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 ARoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 15 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピン
onsemi￥2,198税込￥2,4181袋(10個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 22 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥2,698税込￥2,9681袋(5個)8日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 135000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 ARoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 -15 V， 3-Pin， MC7915ACTG
onsemi￥3,298税込￥3,6281セット(50個)7日以内出荷仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧 ： -15 V●ラインレギュレーション ： 150 mV●ロードレギュレーション ： 150 mV●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220●ピン数 ： 3●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●高さ ： 15.75mm●幅 ： 4.82mm●MC7900 の固定出力負リニア電圧レギュレータは●一般的な MC7800 シリーズの補助装置として使用します。この負電圧レギュレータは● MC7800 と同じ 7 つの電圧オプションで使用できます。また●負の MC7900 シリーズでは● MECL システムで一般的に採用されている 1 つの追加電圧オプションも利用できます。これらのリニア電圧レギュレータは● -5.0 → -24 V の固定出力電圧オプションが用意され●電流制限●サーマルシャットダウン●安全区域補償を採用しているため●ほとんどの動作条件で非常に頑丈です。十分なヒートシンクを使用すれば● 1.0 A を超える電流を出力することができます外付け部品不要 内部の熱的過負荷保護 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 電圧許容差 2% を用意(発注情報を参照) 鉛フリーパッケージが提供される場合があります。 鉛フリーリード仕上げRoHS指令(10物質対応)対応
