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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，スルーホール， FDP18N50
onsemi
￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
7日以内出荷
パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 235 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明無停電電源
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 24 V， 3-Pin， MC7824BTG
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￥719税込￥791
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧A●出力電圧： 24 V●ラインレギュレーション： 480 mV●ロードレギュレーション： 480 mV●極性：正●パッケージタイプ： TO-220mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定W●寸法： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ： 10.28mm●7824リニア電圧レギュレータ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN，スルーホール， BDX53BG
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￥5,798税込￥6,378
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 80 V dc●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 65 W●トランジスタ構成：シングル●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V dc●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 10.53×4.83×9.28mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， MJE5731AG
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￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -350 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 350 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V dc●最大動作周波数： 2 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 10.53×4.83×15.75mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN，スルーホール， BU406G
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￥1,798税込￥1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 400 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 60 W●トランジスタ構成：シングル●最大エミッタ-ベース間電圧： 6 V●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●このバイポーラトランジスタは、 TV や CRT の水平方向の偏向出力段用の電圧高速トランジスタです。高電圧： VCEV ： 330 又は 400 V 高速スイッチング速度： tf ： 750 ns (最大) 低飽和電圧： VCE ( sat ) ： 1 V (最大) @ 5 A 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， TIP32CG
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￥2,798税込￥3,078
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -100 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 2 W●最小DC電流ゲイン： 10●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 3 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， TIP32AG
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￥3,798税込￥4,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -60 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 10●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 10.28×4.82×15.75mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， BD242CG
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￥4,598税込￥5,058
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -90 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 25●トランジスタ構成：シングル●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 10.53×4.83×15.75mm●汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計された 3 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタです。BD241C ( NPN )、 BD242B ( PNP )、 BD242C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ： 1.2 V dc (最大) @ IC ： 3.0 ADC コレクタ - エミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) ： 80 V dc (最小) BD242B ： 100 V dc (最小) BD241C 、 BD242C 高電流ゲイン帯域幅製品 fT ： 3.0 MHz (最小) @ IC ： 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応