「25v 22」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 75W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.38mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrenchR MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM(性能指数)は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 55 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 35 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 57 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 62000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 27 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 120000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 79 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.4mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 47 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 160 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 120 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 40V。最小ブレークダウン電圧 = 25.65V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 22V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.3mm。40 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。 コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 70Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 22mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格出力 257mW ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 25 W。最小DC電流ゲイン = 150。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.16 x 2.54 x 15.87mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 25 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 4 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.9 x 4.5 x 9.2mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 235 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = -37 → -1.2 V。ラインレギュレーション = 0.04 %/V。ロードレギュレーション = 1 %。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = -1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。高さ = 9.28mm。長さ = 10.28mm。可変リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 1.5 %/V、70 mV%。極性 = 正。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = 1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。シリーズ = BSS138L。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 2.9mm。高さ = 0.94mm。NチャンネルパワーMOSFET、50 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.94mm。NチャンネルパワーMOSFET、50 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。長さ = 3.04mm。自動車規格 = AEC-Q101mm。低消費電力用途に最適な車載用パワー MOSFET 。50V 、 200mA 、 3.5 Ω 、シングル N チャネル、 SOT-23 、ロジックレベル、鉛フリーPPAP対応のため、車載用途に適しています。低スレッショルド電圧( VGS ( TH )： 0.5 ～ 1.5 V ) ミニチュア表面実装パッケージ 低電圧で簡単に駆動できます 基板スペースを節約します 用途 低電力スイッチ デジタルスイッチ あらゆる低電流自動車用アプリケーション 最終製品 インフォテイメント ( エンターテイメント、マルチメディア、ナビゲーションシステムなど ) ボディコントロールモジュール (BCM 、 FOB キー、ゲートウェイ、 LF システム、 HVAC など ) セキュリティシステム