「35v150」の検索結果

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。最大連続 順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 150V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 1.91mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ピーク平均順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.2mm。UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器

ピーク平均順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 4.95mm。高さ = 2.7mm。UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 35 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor