「3ma」の検索結果

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 200 mA最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHA特殊機能 = デジタルロジック入力、マイクロプロセッサ入力、電話回線レシーバオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm標準電圧温度係数 = -3.5 → 0.2mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = ACT実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC出力タイプ = 3ステート寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = 24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V幅 = 1.3mm高さ = 0.93mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 120Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 10000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA幅 = 1.4mmダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = AC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 800 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 1.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 7.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm高さ = 2.34mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 8.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 0.25 mA， 8 Ω @ 20 mA最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃mA便利な表面実装プラスチック SOD-123 パッケージに収められた 3 つのツェナーダイオード完全シリーズ。これらのデバイスは、リードレス 34 パッケージスタイルの便利な代替品となります。FR-4 又は FR-5 ボードの定格 503 mW 広いツェナー逆電圧範囲： 2.4 → 110 V 最適な自動基板アセンブリ用のパッケージです 高密度用途向けの小型パッケージサイズ 汎用、中電流 機械的特性： ケース：自由に変形できる熱硬化性プラスチックケース 仕上げ：耐腐食性仕上げ、簡単にはんだ付け可能 はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性バンドで表示 鉛フリーパッケージを用意

標準ツェナー電圧 = 16V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 7.8mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧A出力電圧 = 15 Vラインレギュレーション = 20 mVロードレギュレーション = 25 mV%極性 = 正静止電流 = 3.5mAピン数 = 3出力タイプ = 固定寸法 = 10.28 x 4.82 x 30.02mm動作温度 Min = 0 ℃mm幅 = 4.82mmMC7815リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは、2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには、安全動作領域補償が組み込まれています。また、内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。 出力を調整する場合を除き、外部コンポーネントは不要です。 このデバイスは、電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA出力電圧 = 3 Vラインレギュレーション = 0.02 %ロードレギュレーション = 0.02 %極性 = 正静止電流 = 75μAピン数 = 3 + Tab出力タイプ = 固定寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.25mm高さ = 2.25mm幅 = 6.22mm低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、最大120 mA、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングルmA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 70Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 2.5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmパワー消費 = 300mW

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 240mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA出力電圧 = 3.3 Vラインレギュレーション = 0.3 %ロードレギュレーション = 0.5 %%極性 = 正静止電流 = 5.5mAピン数 = 3出力タイプ = 固定寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm動作温度 Min = -40 ℃mm幅 = 6.22mm低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、550 → 800 mA、ON Semiconductor