「5.5-5ns」の検索結果

論理回路 = VHCT。ロジックタイプ = 非反転。チャンネル数 = 1。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4.5mm。高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

メモリサイズ = 4kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 512 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 512ns

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 5 V。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。幅 = 4mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS