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RoHS10物質対応(2)
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onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥109税込￥120
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：680 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：1.64 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性デジタルFET、Fairchild SemiconductorパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)900チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥109税込￥120
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
