「6v 3w」の検索結果

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.7V。最小ブレークダウン電圧 = 5.89V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 2.7A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

ダイオード構成 シングルV。実装タイプ スルーホール。最大パワー消費 3 W。パッケージタイプ DO-41。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 66.9mA。最大ツェナーインピーダンス 250 Ω@ mA。最大逆漏れ電流 5 μA@ V。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。動作温度 Max +200 ℃。ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8V。最小ブレークダウン電圧 = 5.32V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 150W。最大ピークパルス電流 = 3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 4。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 1mm。24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 142 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

論理回路 = 74HC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。高さ = 2.642mm。長さ = 13.01mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = AC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。回路数 = 8。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 3.3 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。動作供給電圧 Max = 6 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 150pF。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm。6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 46V。最小ブレークダウン電圧 = 31.35V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 0.87A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 50 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 正。静止電流 = 6mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 5W。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。MC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.45 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 225 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。