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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(100個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥24,980税込￥27,4781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥32,980税込￥36,2781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥1,398税込￥1,5381セット(100個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1.1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 380 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥17,980税込￥19,7781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 380 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V。最大パワー消費 = 420 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.01mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応
